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　　 阿曼西南大學鉆研生院工學鉆研科生物工具人業余傳授小柳光正公布了由其鉆研小組促進的零碎集成技能的成績。該技能可兌現將論理LSI、存儲器、MEMS元件以及功率IC等相反品種的元件層疊成三維狀的“超級芯片”。
　　 小柳的鉆研小組此前始終在開發可升高超級芯片的工藝利潤和普及廢品率所需的一系列技能。此次公布的成績如次：(1)自組裝技能在三維疊層畛域的利用；(2)可構成階梯的芯片間布線技能；(3)RF元件的試制。
　　 (1)、自組裝技能用來繼續三維層疊時的地位重合。該技能可以以低利潤兌現芯片層疊。正常在三維層疊中，那末廢品率高且疊層少，則晶圓級疊層(晶圓對晶圓)在利潤上占劣勢。那末廢品率低或疊層多，則在晶圓下層疊芯片的芯片對晶圓、或者芯片間層疊(芯片對芯片)在利潤上占劣勢(圖2)。對此，小柳將數千～數萬枚疊層納入鉆研規模，開收回了可以使利潤輕易升高的芯片對芯片層疊的利潤升高的技能。
　　 小柳的開發指標是，可以容易地對芯片層疊芯片的歲序繼續對立解決。因而采納了自組裝技能。具體為，在芯片的錯誤疊合和接合內中中運用液體。在晶圓名義上，只對可以煩瑣芯片的全體繼續親水解決，并在此處滴上液體。該液體滴到芯片上后，芯片即便錯位也能依據液體的名義張力主動疊合到施行了親水解決的全體。疊合精度由親水解決模子的構成精度決議。另外，液體干澀后，還可繼續物理接合或電氣接合。利用該步驟可對立疊合多枚芯片。因而，該小組在芯片對芯片層疊的接合裝置歲序中導出了對立解決(批解決)半超導體前歲序的概念。經過該步驟，理論可在200mm晶圓上對立裝置多枚芯片，兌現了精度為0.4μm的地位疊合和接合。
　　 另外，為施展對立解決的劣勢，須要開發一種能將多枚芯片高效地放到芯片疊合用榫頭上的步驟。此次小柳沒有宣布該步驟，但示意眼前正在開發，定然可以兌現。
　　 (2)、階梯式布線用來晶圓上多枚芯片間的電氣聯接。該技能不是面向三維疊層的，而是面向同一個硅晶圓上多枚芯片間的布線。芯片側面經過暴光工藝構成了圖案。該鉆研小組證實，在階梯間距為100μm的芯片上可以構成線寬20μm的銅布線。
　　 (3)、試制芯片是經過將RF通路模塊化后兌現的。該小組經過(1)中的自組裝技能在晶圓上衣置了模仿LSI、數字LSI、庫容器芯片以及電感器芯片。還經過(2)中的布線技能將各芯片聯接起來。其中，電感器芯片經過構成虛空普及了電感器特點。具體為，將構成線圈的繞組構造的縫隙空進去。而先前該縫隙用硅填補。